Aluminum Nitride (AlN)

氮化铝（AlN）是微电子行业中常用的材料。典型用途包括中高功率DC / RF /微波电路。AlN具有与硅类似的高损耗率和低热系数。氮化铝在电路中的散热能力可确保氮化铝（AlN）具有足够的抗热震性，并且与正常的半导体工艺，化学物质或气体不反应。的可用功率为170 W / mk，200 W / mkå’Œ230 W / mkã€‚æˆ‘ä»¬æä¾›è¿›è¡Œç ”ç£¨ï¼Œç ”ç£¨å’ŒæŠ›å…‰æä¾›æ°®åŒ–é“ï¼ˆALNï¼‰æ ‡å‡†å°ºå¯¸ï¼šåŽšåº¦ä¸º0.004至0.100çš„4.50 X 4.50平方到1.00×1.00å¹³æ–¹ï¼Œå¯æ ¹æ®çš„ã€‚çš„åŸºæ¿ã€‚å¯ä»¥å°†ææ–™åŠ å·¥æˆå„ç§å°ºå¯¸çš„.004”至.100â€åŽšåº¦ã€‚è¦æ±‚æä¾›å®šåˆ¶å°ºå¯¸ã€‚ä¸­å¿ƒçº¿æ ¹æ®æ‚¨çš„è§„æ ¼æä¾›ç›´å¾„å’Œå…¶ä»–é…ç½®ã€‚æœ‰å…³æ›´å¤šä¿¡æ¯ï¼Œè¯·å¡«å†™æˆ‘ä»¬çš„â€œè¯¢ä»·â€è¡¨æ ¼.FolyskyTechnologyï¼ˆæ­¦æ±‰ï¼‰æœ‰é™å…¬å¸æ˜¯ä¸€å®¶ä¸“ä¸šå†›é˜Ÿå¹³é¢ï¼Œä¸‰ç»´æ— æœºéžé‡‘å±žåŸºç”µå­ç”µè·¯å’Œç”µå­å…ƒä»¶çš„ç ”å‘ï¼Œç”Ÿäº§ï¼Œé”€å”®çš„é«˜ç§‘æŠ€ä¼ä¸šä¹‹ä¸€ï¼Œå®ƒæ‹¥æœ‰é™¶ç“·ç”µè·¯åŸºæ¿çš„çŸ¥åå“ç‰Œ-斯立通。